반응형
올해 들어 반도체 입문서를 하나둘 읽어가고 있다.
미중 무역분쟁, 글로벌 공급망 이슈 등으로 인해 반도체에 대한 사람들의 관심이 그 어느 때보다 높은 듯 하다.
지난 이삼십년 가까이 한국 경제를 하드캐리한 산업인데, 일반인들은 여전히 익숙히 않다.
우선 최첨단 기술을 기반으로 하고 있으며, 눈에 잘 보이지 않는다.
반도체 산업을 이해하기 위해서는 기본적인 물리, 화학, 경제 지식이 어느 정도 필요한데다
IT산업의 특성 상 트렌드나 변화가 매주 잦은 편이다.
나도 몇 권 읽다보니 대충 흐름은 잡히는 듯 하다.
한단계 더 깊이 들어가면 흐리멍텅해지기 시작하고, 거기서 한두 단계 더 들어가면 아직은 멍하다.
스스로의 만족, 호기심을 기반으로 깊이 있게 학습하는 건 쉽지 않은 얘기이다.
마침 지난밤 엔비디아(Nvidia)가 2Q 가이던스를 시장 컨센 대비 50% 이상 높게 발표하여 장외 27% 폭증한 상황이다.
덕분에 국내 반도체주들도 상승 기류를 타고 있다.
e북으로 읽으며 밝게 메모한 내용은 다음과 같다
>>>
고정비 비중이 높으므로 생산량을 최대로 늘려야 하고, 가격이 하락해도 생산량을 줄이기 어렵다. 따라서 반도체 불황은 빠른 시일 내에 회복되기 어려우나 또한 가격 낙폭이 클수록 업황 회복이 가까워졌다는 의미이다.
지금까지 말한 반도체의 2가지 특성, 즉 범용 제품 산업이며 자본 집약적이란 점이 메모리 반도체 산업에 사이클이 나타날 수밖에 없는 이유입니다. 저는 메모리 반도체가 사이클 산업이기 때문에 주가 전망이 어렵고, 고위험 고수익의 성격을 가진다고 생각합니다.
메모리 반도체 주식에 대한 무조건적인 장기 투자보다 업황 사이클을 이용한 매매가 훨씬 큰 수익률을 얻을 수 있다.
14나노 DRAM이란 말은 이 DRAM의 설계 시 최소 회로선 폭(Design Rule)을 14나노로 정했다는 것입니다. (중략...) 가장 중요한 부분을 제외하면 이보다 두꺼운 여러 굵기의 선폭으로 설계됩니다.
현재 20나노 이하 공정에서는 더블 패터닝으로도 부족해서 포토 마스크를 4개 사용하는 쿼드러플 패터닝까지 도입된 상황입니다. 따라서 단위 시간당 웨이퍼 처리량의 감소와 생산 증가율의 하락은 더욱 심화되고 있고, 수율을 개선하는 데에도 어려움이 커진 상황일 수밖에 없는 것이죠.
실제로는 EUV 장비를 활용하는 1A나노 이후에도 DRAM의 낮은 생산 증가율은 해결되지 못하고 있습니다. 오히려 더 악화되는 상황이지요. 그 이유는 다음과 같습니다. 첫째, 현재 EUV 장비의 가격 대비 성능비가 너무 나쁘기 때문입니다 (ArF 이머전 장비에 비해 10분의 1 수준). 현재 EUV 장비를 사용하는 것은 점점 악화되는 멀티플 패터닝의 단점을 극복하기 위한 어쩔 수 없는 선택이지, EUV 장비의 생산성이 좋아서는 아니라는 점입니다. 둘째, 아직 도입 초기인 만큼 EUV 노광 공정에도 자체적인 기술적 어려움이 산재해 있기 때문입니다. EUV 장비의 자체적인 하드웨어상 문제도 많은 개선이 필요합니다만 관련 부품, 재로에도 어려운 문제가 산적해 있는 것입니다.
서버 DRAM이 PC DRAM과 가장 크게 다른 점은 ECC(Error Correcting Code) 기능이 탑재된다는 점입니다. ECC는 내부 데이터의 오류를 감지하고 수정하는 기능을 의미하며, 대량의 데이터를 처리하므로 안정성이 중시되는 서버에서는 필수적인 기능입니다.
메모리 반도체가 거래되는 시장에는 현물시장과 고정거래시장이 있습니다. 현물시장의 시장 규모는 전체 거래의 10% 이하에 불과하고 대부분의 거래는 고정거래시장에서 발생합니다.
메모리 반도체 업황은 전 세계 유동성 전년 동기 대비 증감률, 미국 ISM 제조업지수, 중국 신용자극지수처럼 향후 매크로 경기를 선행하는 경기선행지표들과 거의 같은 궤적을 나타내고 있습니다.
경기를 미리 알려 주는 선행지표 중 하나인 전 세계 유동선(M2 기준) 전년 동기 대비 증감률과 삼성전자, SK하이닉스의 P/B 배수는 역사적으로 매우 유사하게 움직여 왔습니다. 반도체 주식의 밸류에이션 배수에 가장 큰 영향을 미치는 요인은 경기 요인입니다.
Nvidia와 AMD 등은 미국의 빅테크 업체들에게 사업의 상당 부분을 의존하는 시스템 반도에 업체들입니다. 반면에 Micron이나 한국 반도체 업체들은 메모리 반도체 업체들이고 이들은 미국보다 중국의 경기와 IT 수요에 훨씬 더 크게 의존합니다. (중략...) 그러면 DRAM 전체 수요에서 80%를 상회하는 부분이 중국의 경기나 IT 수요에 크게 좌우되는 PC, 스마트폰, 중국 빅테크 부문 등이라는 것입니다.
삼성전자는 2019년에 단면의 지름이 1나노미터 정도로 얇은 와이어 형태의 채널이 아닌, 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트(nano sheet)를 여러 장 쌓아 성능과 전력 효율을 높인 독자적인 GAA 기술을 개발했습니다. 그리고 이를 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)으로 이름 붙였습니다. 3나노 MBCFET 공정은 5나노 FinFET 공정 대비 면적은 16% 가량 줄일 수 있는 반면, 약 45%의 소비 전력 절감과 약 23%의 성능 개선 효과를 획득할 수 있을 것으로 예상됩니다.
>>>
상당히 유익한 책이었다.
한국 반도체 산업의 핵심인 DRAM과 NAND에 대해 상세히 나온 부분도 좋았고,
PBR 밸류에이션의 의미 그리고 최신 공정들에 대한설명도 훌륭했다.
이런 책 몇 권을 더 읽어야 내 눈이 열릴 지 아직은 알 수 없다.
내 평점은 5점 만점에 4점이다.
한줄 서평 : "반도체는 현재(now)다"
반응형
